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技術(shù)文章

臥式CNT/石墨烯合成裝置MPCVD-Graphene的特點

臥式CNT/石墨烯合成裝置MPCVD-Graphene的特點


使用高真空泵系統(tǒng)(可選)沉積
的單層石墨烯/Ni 的光學(xué)顯微圖像

 基板的快速冷卻據(jù)說是通過使用碳?xì)浠衔餁怏w(CH4 和 C2H2)的 CVD 方法在催化劑基板(Ni、Cu 等)上生長石墨烯薄膜的重要因素之一。

 該裝置配備了僅允許加熱部分滑動而爐芯管保持原樣的機(jī)構(gòu)。這種滑動機(jī)構(gòu)允許爐子的熱區(qū)快速從樣品位置移開,從而使樣品快速冷卻。此外,通過安裝可選的高真空排氣系統(tǒng),可以輕松沉積更大面積的單層石墨烯薄膜。

使用高真空泵系統(tǒng)(可選)沉積的單層石墨烯/Ni 的拉曼光譜

加熱期間(載玻片移動前)

冷卻時(滑動移動后)

*實際產(chǎn)品可能與照片略有不同。

目的 :這是用于合成石墨烯薄膜的管式爐(50mmφ)型熱CVD設(shè)備。
特征 :
  •  配備爐膛滑動機(jī)構(gòu),可快速加熱/冷卻樣品

  •  三系統(tǒng)質(zhì)量流量氣體流量控制系統(tǒng),實現(xiàn)精準(zhǔn)氣體控制

  •  緊湊堅固的外殼設(shè)計,易于安裝在桌面實驗室工作臺等。

  •  [選項] 可增加電機(jī)驅(qū)動的自動滑動功能。

  •  [選項] 通過增加渦輪排氣泵,可以沉積更高質(zhì)量的石墨烯。

  •  [選項] 可將熱電偶傳感器引入爐內(nèi),直接監(jiān)測樣品溫度。




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